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flosfia最初于2011年在京都大学成立，专门研究雾状化学气相沉积( cvd )成膜和氧化镓（ga2o3）在低损耗功率器件中的应用。京都大学的shizuo fujita教授首创了刚玉结构氧化镓（α-ga2o3）在半导体中的应用。α-ga2o3半导体的性能表现优于市场上其它半导体。这些半导体具有5.3ev的宽带隙（wide bandgap）和击穿场强（breakdown field strength），这意味着其能够更好地承受高压应用。

flosfia成功地用α-ga2o3制备了肖特基势垒二极管( sbd )，与基于sic开发的sbd相比，其导通损耗降低了86%。电装表示，α-ga2o3可以取代目前的硅（si）和碳化硅（sic）功率半导体，并有助于进一步开发支持未来电动汽车的技术。
      目前，我司已和flosfia株式会社展开密切合作，准备不久将氧化镓新型产品推入国内市场。